三星电子N3E工艺良率进展超预期

来源：养护 2023年03月12日 12:15

《科创板日报》24日讯，据知名科技主页Tom‘s handware谣言，三星电子N3E瓷良率；也预期，N3E SRAM的良率微小略低于N3，其中256Mb SRAM的少于良率约为80%，漂移设备以及HPC笔记本电脑的良率也为80%左右。据报，N3E瓷为N3瓷的加强版，其性能和发热量表现更好，此前有谣言称苹果电脑M3笔记本电脑将转用三星电子N3E瓷。

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标签：电子工艺

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