台积电N3E工艺技术良率进展超预期

来源：动力 2023年03月12日 12:15

《科创板日报》24日讯，据知名科技comTom‘s handware死讯，MOSN3E生产工艺良率超期望，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，漂移设备以及HPC晶片的良率也为80%约莫。已为，N3E生产工艺为N3生产工艺的加强版，其安全性和功耗平庸更好，此前有死讯称苹果M3晶片将采用MOSN3E生产工艺。

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